全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門(mén)陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門(mén)制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來(lái)更容易，更便宜。

高頻晶振TCXO溫補(bǔ)晶振是通過(guò)其附加的溫度補(bǔ)償電路使周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器高頻晶振

。它的溫度補(bǔ)償?shù)脑砟鼐褪峭ㄟ^(guò)改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使copy其隨溫度變化來(lái)補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂知移。高頻晶振溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO），是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器

變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補(bǔ)償電壓）由溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)輸出，溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的測(cè)量多為人工手動(dòng)完成。用小功率直流電壓源代替溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，改變溫度到目標(biāo)點(diǎn)并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達(dá)到中心頻率，此時(shí)電壓源輸出即為該溫度點(diǎn)的補(bǔ)償電壓；在各測(cè)試溫度點(diǎn)重復(fù)以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線數(shù)據(jù)。這種手動(dòng)測(cè)量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實(shí)現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。。溫補(bǔ)晶振術(shù)語(yǔ)來(lái)自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求高頻晶振。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化）通過(guò)外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器。

高頻晶振13）相位噪聲(Phasenoise)振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度，通常用相應(yīng)起伏功率譜密度Sψ(f)表示高頻晶振注：1）電壓范圍：用來(lái)調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見(jiàn)的有0～3.3V,0.3～3.0V,0～5V,0.5～4.5V等。2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3）極性：當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候，壓控極性為正極性，反之為負(fù)極性。，其中相位起伏函數(shù)為ψ(f)=2πFt-2πF0t注:抖動(dòng)是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時(shí)域量度，實(shí)際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。