二、電源和負(fù)載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負(fù)載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設(shè)計者應(yīng)在建議的電源電壓容差和負(fù)載下檢驗(yàn)振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運(yùn)行.

CIMAKE晶振TCXO溫補(bǔ)晶振是通過其附加的溫度補(bǔ)償電路使周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器CIMAKE晶振

。它的溫度補(bǔ)償?shù)脑砟鼐褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使copy其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂知移。CIMAKE晶振晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時鐘信號。通常一個系統(tǒng)共用一個晶振，便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基內(nèi)頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調(diào)整頻率的容方法保持同步CIMAKE晶振

2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時鐘信號，可以用與同一個晶振相連的不同鎖相環(huán)來提供。

CIMAKE晶振一個溫補(bǔ)晶振，可以通過測量溫度，然后自動調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變屬得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。用溫度補(bǔ)償?shù)姆椒p少頻率失真，因?yàn)檎袷幤鞴ぷ鲿r由于電阻的作用（晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻）就會有溫升CIMAKE晶振全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。，溫度升高對半導(dǎo)體影響很大，會使半導(dǎo)體的工作點(diǎn)發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘（單片機(jī)或者電腦）要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補(bǔ)償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準(zhǔn)！