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佛山KDS晶振廠家
發(fā)布時(shí)間:2021-02-23 點(diǎn)擊量:410
(1)直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路,在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí),熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí),直接補(bǔ)償方式并不適宜。KDS晶振溫補(bǔ)晶振是如何實(shí)現(xiàn)電路補(bǔ)償中國(guó)電子市場(chǎng)對(duì)壓電石英晶振的需求是越來(lái)越大了,從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展,尤其是近幾年時(shí)間國(guó)內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā),從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了KDS晶振注:常見輸出波形及輸出特性指標(biāo):1)正弦波(Sine):諧波抑制(Harmonicattenuation)、雜波抑制(Noiseattenuation)、負(fù)載(Load)、輸出幅度(Outputlevel)。,就拿我們晶振行業(yè)來(lái)說(shuō)像32.768KHZ系列的音叉型表晶,慢慢的就被音叉貼片式替代了,已經(jīng)成為小型化的走向,而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致,要求也越來(lái)越高,普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)的需求,所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展,而振蕩器里面的溫補(bǔ)晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭(zhēng)奪對(duì)象。KDS晶振晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振,便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基內(nèi)頻和射頻使用不同的晶振,而通過(guò)電子調(diào)整頻率的容方法保持同步KDS晶振(4)FLUKE45萬(wàn)用表支持串口程控,用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測(cè)試目的要求,補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程如下:將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測(cè)半成品活件裝入高低溫箱,連接好各儀器設(shè)備,打開電源,運(yùn)行程序,進(jìn)行參數(shù)設(shè)置(如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測(cè)試溫度范圍為-40~+70℃,10℃步進(jìn));點(diǎn)擊開始按鈕,程序控制高低溫箱自動(dòng)回0號(hào)參考工位,開始降溫至-40℃,保溫30min后,工位進(jìn)1,根據(jù)1號(hào)位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出,獲取振蕩器頻率,變化E+,使振蕩器頻率越來(lái)越接近中心頻率,直到滿足要求,記錄此時(shí)程控電源的E+即為所測(cè)補(bǔ)償電壓結(jié)果,同時(shí)記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號(hào)位測(cè)量,直到所有工位測(cè)試完畢;開始升溫10℃至-30℃,保溫20min,測(cè)試記錄數(shù)據(jù),完成所有工位測(cè)試;繼續(xù)升溫,保溫、測(cè)量,直至全部溫度點(diǎn)測(cè)試完畢,一個(gè)測(cè)試過(guò)程完成。。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用,以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時(shí)鐘信號(hào),可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來(lái)提供。KDS晶振圖5間接補(bǔ)償目前的方法將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個(gè)集成電路中(如圖6所示),補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運(yùn)算放大器組成,這些運(yùn)算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補(bǔ)償方法一樣KDS晶振圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來(lái)直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過(guò)來(lái)會(huì)改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.,該電壓用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,這反過(guò)來(lái)又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測(cè)試期間得出了解決方案.兩個(gè)電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱值,然后在測(cè)試期間獲得溫度補(bǔ)償功能所需的設(shè)置并存儲(chǔ)在片上存儲(chǔ)器中.
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