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廣東溫補(bǔ)晶振TCXO是什么

發(fā)布時(shí)間:2021-04-06   點(diǎn)擊量:495

其它條件不變時(shí),由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的電源電壓時(shí)的頻率偏移。11)老化率(長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定度)(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長(zhǎng)期變化造成的,可以用規(guī)定時(shí)間間隔內(nèi)平均頻率的相對(duì)變化來表示。溫補(bǔ)晶振TCXO溫度補(bǔ)償石英晶體振蕩器(TCXO)由于具有較高的頻率穩(wěn)定度,作為一種高精度頻率源被廣泛地應(yīng)用于通訊系統(tǒng)、雷達(dá)導(dǎo)航系統(tǒng)、精密測(cè)控系統(tǒng)等溫補(bǔ)晶振TCXO

圖4.直接補(bǔ)償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對(duì)網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.。溫補(bǔ)晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。其中,溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化設(shè)計(jì)對(duì)于改善溫補(bǔ)晶體振蕩器的溫頻特性,提高振蕩器的頻率精度具有重要意義。后一種情況(TCXO是開環(huán),頻率在DDS設(shè)置)正變得越來越普遍,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來實(shí)現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè),以便他們可以相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì).由于靈活性,它們?cè)试STCXO用于許多頻率控制應(yīng)用,但一個(gè)重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.

溫補(bǔ)晶振TCXO1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對(duì)石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性,及時(shí)處理不良品并分析原因;2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Wo(hù)中與外殼封裝起來,以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的,但實(shí)際上總會(huì)有所偏差,這個(gè)偏差就是表征理想程度的壓控線性度,通常用百分比表示。5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號(hào),或者對(duì)輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí),通常振蕩器可以自己給。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈,壓封倉(cāng)要連續(xù)沖氮?dú)?,并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾?,否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為:無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對(duì)稱不可歪斜。

溫補(bǔ)晶振TCXO一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級(jí),而恒溫晶振可達(dá)到-9量級(jí)。因此恒溫晶振一般用于高端測(cè)量?jī)x器,如頻率計(jì)、信號(hào)發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等溫補(bǔ)晶振TCXO全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器,開關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘,可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)?;谖C(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比,它們具有更高的可靠性,更小的尺寸,更高的耐用性以及更低的成本,而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù),與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比,它們制造起來更容易,更便宜。。而溫補(bǔ)晶振的開機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件,也需要一個(gè)加溫過程。想達(dá)到-7量級(jí),怎么也需要5分鐘左右,而達(dá)-9以上量級(jí)甚至需要一天。因此開機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。
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