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發(fā)布時(shí)間:2021-04-14   點(diǎn)擊量:467

并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的,該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路,必須設(shè)計(jì)通過(guò)晶振的路由。如果晶體失效,電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來(lái)呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器,該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容,這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變,振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。晶振溫補(bǔ)晶振是如何實(shí)現(xiàn)電路補(bǔ)償中國(guó)電子市場(chǎng)對(duì)壓電石英晶振的需求是越來(lái)越大了,從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展,尤其是近幾年時(shí)間國(guó)內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā),從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了晶振

2)削峰正弦波(ClippingSine):負(fù)載(Load)、輸出幅度(Outputlevel)。3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載(Load)、占空比(Dutycycle)、上升/下降時(shí)間(Rise/falltime)、,就拿我們晶振行業(yè)來(lái)說(shuō)像32.768KHZ系列的音叉型表晶,慢慢的就被音叉貼片式替代了,已經(jīng)成為小型化的走向,而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致,要求也越來(lái)越高,普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)的需求,所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展,而振蕩器里面的溫補(bǔ)晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭(zhēng)奪對(duì)象。這個(gè)想法是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)牽引網(wǎng)絡(luò),然后調(diào)整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補(bǔ)償?shù)木д耦l率響應(yīng)溫度(紅色)就像一個(gè)三階多項(xiàng)式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個(gè)),所以目標(biāo)是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)是為了抵消溫度對(duì)晶體的影響而產(chǎn)生的電壓是有效的關(guān)于晶體曲線溫度軸的鏡像.補(bǔ)償電壓顯示為藍(lán)色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.

晶振TCXO晶振對(duì)工程師非常有用,因?yàn)樗鼈兛梢栽诒入娐钒迳暇哂邢嗤暮驼加每臻g的標(biāo)準(zhǔn)VCXO更好的溫度穩(wěn)定性的10倍到40倍之間使用.TCXO彌合了標(biāo)準(zhǔn)XO或VCXO與OCXO之間的差距后一種情況(TCXO是開(kāi)環(huán),頻率在DDS設(shè)置)正變得越來(lái)越普遍,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過(guò)使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè),以便他們可以相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì).由于靈活性,它們?cè)试STCXO用于許多頻率控制應(yīng)用,但一個(gè)重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.,這些差距更高,需要更多功率才能運(yùn)行.推動(dòng)技術(shù)的目標(biāo)是降低功耗,當(dāng)然還要降低成本,因此TCXO為功耗和成本敏感的應(yīng)用提供了良好的中端解決方案.

晶振注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時(shí)頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高,晶體成本上升越多晶振變?nèi)荻O管D兩端所加電壓(即補(bǔ)償電壓)由溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)輸出,溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出電壓,變?nèi)荻O管容量隨之改變,以抵消諧振器頻率隨溫度的變化,可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償過(guò)程如下:。5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)當(dāng)控制電壓變化時(shí),引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
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