全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅動?；谖C電系統(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。溫補晶振TCXO壓控晶振是通過外加一個壓控電抄壓可以調節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變容二極管上來改變電容值以達到改變頻率的效果溫補晶振TCXO

四、相位噪聲和抖動在頻域測量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實量度.它可測量到中心頻率的1Hz之內和通常測量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術的振蕩器一般呈現較差的相位噪聲性能.抖動與相位噪聲相關,但是它在時域下測量.以微微秒表示的抖動可用有效值或峰—峰值測出.許多應用,例如通信網絡、無線數據傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴格的拌動指標.需要密切注意在這些系統中應用的振蕩器的抖動和相位噪聲特性.。這種壓控晶振一般用在需百要調節(jié)頻率的儀器上。而溫補晶振它是采用內置一個溫補網絡來補償由于溫度帶來的度頻率偏差，達到在一定溫度范圍內頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。溫補晶振TCXO3）頻率調諧范圍（Frequencyadjustmentrange）用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍溫補晶振TCXO

（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補償網絡分析計算輔助數據。2.2補償電壓自動測試過程根據系統硬件組成與測試目的要求，補償電壓自動測試過程如下：將未裝配補償網絡的待測半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設備，打開電源，運行程序，進行參數設置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進）；點擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動回0號參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進1,根據1號位活件設置調節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時程控電源的E+即為所測補償電壓結果，同時記錄振蕩器內為溫補網絡供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進1,移向2號位測量，直到所有工位測試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測試記錄數據，完成所有工位測試；繼續(xù)升溫，保溫、測量，直至全部溫度點測試完畢，一個測試過程完成。。注：調整的目的：1）把頻率調到規(guī)定調整范圍內的任一特定值。2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。

溫補晶振TCXO五、封裝與其它電子元件相似,時鐘振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝.康比電子能夠根據客戶的需要訂制各種類型、不同尺寸的晶體振蕩器（具體資料請參看產品手冊）.通常溫補晶振TCXO溫補晶振作用一個溫補晶振，可以通過溫度，然后自動調整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準確和穩(wěn)定。,較小型的器件比較大型的表面貼裝或插腳封裝器件更昂貴.所以,小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間做出折衷.