三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對于工業(yè)產(chǎn)品,有時(shí)還要考慮沖擊和振動、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨(dú)特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求.對稱性、上升和下降時(shí)間以及邏輯電平對某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時(shí)間（小于5ns）.RAKON晶振晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器RAKON晶振

原材料的選擇石英晶振是由晶片、支架、導(dǎo)電膠、引腳、陶瓷基座和外殼組成，在原材料選擇中，卡斯電子都全部通過SGS認(rèn)證，從原料、生產(chǎn)、性能，、外觀等方面嚴(yán)格檢控。，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加LC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。后一種情況(TCXO是開環(huán),頻率在DDS設(shè)置)正變得越來越普遍,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來實(shí)現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè),以便他們可以相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì).由于靈活性,它們允許TCXO用于許多頻率控制應(yīng)用,但一個(gè)重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.

RAKON晶振一、溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償原理振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。

RAKON晶振溫補(bǔ)晶振，TCXO，普通的振蕩器百內(nèi)置溫度曲線補(bǔ)償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能度做到+/-2ppmRAKON晶振圖4.直接補(bǔ)償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.。消耗電流一般小于幾十問mA。是最常見的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見。恒溫晶振，OCXO，在特制答的晶體周圍包有振蕩電路和恒溫電路，頻率穩(wěn)定度可回以達(dá)到+/-0.01ppm。消耗答電流一般300mA~2A。主要應(yīng)用于衛(wèi)星，通訊基站等。