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深圳高頻晶振指標

發(fā)布時間:2021-07-06   點擊量:321

2系統(tǒng)硬件組成及測試過程溫補網絡補償電壓的測量多為人工手動完成。用小功率直流電壓源代替溫補網絡,改變溫度到目標點并保溫,然后調節(jié)電壓源輸出,使振蕩器輸出達到中心頻率,此時電壓源輸出即為該溫度點的補償電壓;在各測試溫度點重復以上操作,得到一組數據,即V-T曲線數據。這種手動測量方法效率低下,人力成本較高,而且手工記錄測試數據,容易產生誤差,難以實現精確快速的優(yōu)質生產。

高頻晶振H、OCXO主要技術指標定義的IEC標準1)標稱頻率(Nominalfrequency)振蕩器標明的工作頻率高頻晶振

。2)中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準點溫度環(huán)境(25±2℃)和中心控制電壓時,測得的頻率值與標稱頻率的偏差。是不同振蕩器類型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖,范圍從標準VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.軸反轉使得曲線在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長.TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO和OCXO之間的中間位置(在某些情況下,重疊某些OCXO性能).

高頻晶振3、負載:其他條件保持不變,負載在規(guī)問定變化答范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱負載下的輸出頻率的最大允許頻偏9)負載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時,由于負載阻抗在規(guī)定范圍內變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。10)電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)。4、電壓:其他條件保持不變,電源電壓在規(guī)定變化范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱電源電壓下的輸出頻率的最大允許頻偏。

高頻晶振一個溫補晶振,可以通過測量溫度,然后自動調整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變屬得更準確和穩(wěn)定。用溫度補償的方法減少頻率失真,因為振蕩器工作時由于電阻的作用(晶體管或者集成電路都有內阻)就會有溫升高頻晶振四、相位噪聲和抖動在頻域測量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實量度.它可測量到中心頻率的1Hz之內和通常測量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術的振蕩器一般呈現較差的相位噪聲性能.抖動與相位噪聲相關,但是它在時域下測量.以微微秒表示的抖動可用有效值或峰—峰值測出.許多應用,例如通信網絡、無線數據傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴格的拌動指標.需要密切注意在這些系統(tǒng)中應用的振蕩器的抖動和相位噪聲特性.,溫度升高對半導體影響很大,會使半導體的工作點發(fā)生飄移從而導致振蕩頻率的變化,這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘(單片機或者電腦)要求頻率高度穩(wěn)定,所以開發(fā)商生產出具有溫度補償性能的有源振蕩器,這些具有溫度補償的晶體振蕩器頻率變化非常低,可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準!
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