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深圳溫補(bǔ)晶振TCXO深圳市均特利

發(fā)布時(shí)間:2021-08-23   點(diǎn)擊量:615

溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中,對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型:

溫補(bǔ)晶振TCXOH、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)1)標(biāo)稱頻率(Nominalfrequency)振蕩器標(biāo)明的工作頻率溫補(bǔ)晶振TCXO

。2)中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準(zhǔn)點(diǎn)溫度環(huán)境(25±2℃)和中心控制電壓時(shí),測(cè)得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。集成電路是一種超微型的電子元器件,一個(gè)電路中有晶振器、晶體管、電容電阻及電感等元器件相互連線組成。今天小揚(yáng)給大家談一談?dòng)性淳д瘢瑹o(wú)源晶振與集成電路有何聯(lián)系,讓大家能快速了解與學(xué)習(xí)。首先,我們了解一下什么是單片機(jī)?單片機(jī),英文稱為Microcontrollers,是一種集成電路芯片,簡(jiǎn)寫為MCU,是采用超大規(guī)模集成電路技術(shù)把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器等功能(可能還包括顯示驅(qū)動(dòng)電路、脈寬調(diào)制電路、模擬多路轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器等電路)集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個(gè)小而完善的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng),在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。從上世紀(jì)80年代,由當(dāng)時(shí)的4位、8位單片機(jī),發(fā)展到現(xiàn)在的300M的高速單片機(jī)。

溫補(bǔ)晶振TCXO一個(gè)溫補(bǔ)晶振,可以通過(guò)測(cè)量溫度,然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。用溫度補(bǔ)償?shù)姆椒p少頻率失真,因?yàn)檎袷幤鞴ぷ鲿r(shí)由于電阻的作用(晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻)就會(huì)有溫升(2)間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路,并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上,通過(guò)晶體振子串聯(lián)電容量的變化,對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度,但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)(A/D)變換器,將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償,使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高,但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜,成本也較高,只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。,溫度升高對(duì)半導(dǎo)體影響很大,會(huì)使半導(dǎo)體的工作點(diǎn)發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化,這些變化對(duì)使用者來(lái)說(shuō)影響很大如無(wú)線電通訊、本地時(shí)鐘(單片機(jī)或者電腦)要求頻率高度穩(wěn)定,所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補(bǔ)償性能的有源振蕩器,這些具有溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低,可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準(zhǔn)。

溫補(bǔ)晶振TCXO二、溫補(bǔ)晶振的發(fā)展趨勢(shì)低功耗、小型化和精度,一直是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面,溫補(bǔ)晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難,具體主要表現(xiàn)為兩點(diǎn):一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小溫補(bǔ)晶振TCXO注:1)電壓范圍:用來(lái)調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0~3.3V,0.3~3.0V,0~5V,0.5~4.5V等。2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3)極性:當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候,壓控極性為正極性,反之為負(fù)極性。,溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度,會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。
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