用溫度補償?shù)姆椒p少頻率失真，因為振蕩器工作時由于電阻的作用(晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻)就會有溫升，溫度升高對半導(dǎo)體影響很大，會使半導(dǎo)體的工作點發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘(單片機或者電腦)要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準。晶振溫度補償石英晶體振蕩器（TCXO）由于具有較高的頻率穩(wěn)定度，作為一種高精度頻率源被廣泛地應(yīng)用于通訊系統(tǒng)、雷達導(dǎo)航系統(tǒng)、精密測控系統(tǒng)等晶振

全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。。溫補晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。其中，溫度補償網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化設(shè)計對于改善溫補晶體振蕩器的溫頻特性，提高振蕩器的頻率精度具有重要意義。圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.

晶振不存在哪種產(chǎn)品好哪種產(chǎn)品不好，主要是看需要。性能高的產(chǎn)品價格必然貴，對使用的需求也高（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。。適用的才是最好的。理論上來講一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。

晶振5、老化:在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件老化而引起的輸出頻率隨時專間的系統(tǒng)漂移過程晶振頻率老化是不可避免的。同時方向可能為正也可能為負。又稱為日老化率、長穩(wěn)等。12）短期頻率穩(wěn)定度(Shorttermstability)振蕩器短時間內(nèi)的頻率隨機起伏程度。注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。。通常用某一時間間隔內(nèi)的頻差來量度。對于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工屬作時間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率來量度。