全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。恒溫晶振壓控晶振是通過外加一個壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來改變電容值以達到改變頻率的效果恒溫晶振

3、輸出波形：有正弦波和方波兩種。4、輸出幅度：在接入額定負載的規(guī)定條件下，晶振輸出的均方根值電壓。5、頻率溫度特性：當環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預定方式變化時，晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對變化特性6、壓控線性度：指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補晶振它是采用內(nèi)置一個溫補網(wǎng)絡來補償由于溫度帶來的度頻率偏差，達到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。如溫補晶振一般能達到-7量級，而恒溫晶振可達到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。想達到-7量級，怎么也需要5分鐘左右，而達-9以上量級甚至需要一天。因此開機即需要工作的設備就不太適合。如武器。試想5分鐘導彈已經(jīng)到達目標，你的晶振還沒正常工作怎么用？

恒溫晶振TCXO晶振對工程師非常有用,因為它們可以在比電路板上具有相同功耗和占用空間的標準VCXO更好的溫度穩(wěn)定性的10倍到40倍之間使用.TCXO彌合了標準XO或VCXO與OCXO之間的差距高低電平（“1”and“0”level）。7）工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準溫度時的頻率偏移。,這些差距更高,需要更多功率才能運行.推動技術(shù)的目標是降低功耗,當然還要降低成本,因此TCXO為功耗和成本敏感的應用提供了良好的中端解決方案.

恒溫晶振圖5間接補償目前的方法將補償網(wǎng)絡和拉網(wǎng)絡集成到一個集成電路中(如圖6所示),補償網(wǎng)絡的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補償方法一樣恒溫晶振圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網(wǎng)絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.,該電壓用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標稱值,然后在測試期間獲得溫度補償功能所需的設置并存儲在片上存儲器中.