二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設計者應在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅動15pF的振蕩器在驅動50pF時會有好的表現.在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產品在低功率下運行.

溫補晶振溫補振蕩器有時也被我們稱之為溫補晶振，即振蕩器等于晶振。帶有電壓參數的一種晶振。那么溫補振蕩器的準確定義又是什么？一般石英晶體的頻率都和溫度相關，我們所使用的晶體振蕩器，一般是在25度下達到最大精度溫補晶振

。溫度升高，精度誤差增大；溫度降低，誤差減小。（這里升高降低的標準是以常溫為基準，越接近常溫，誤差越?。?。溫補振蕩器的作用即是當溫度升高或者降低影響誤差大小的時候，可以進行溫度補償，將溫度拉回到接近常溫。（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變容二極管上，通過晶體振子串聯電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數（A/D）變換器，將模擬量轉換成數字量。該法可實現自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。

溫補晶振1溫補晶振溫度補償原理溫補晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補償網絡兩部分組成。典型的溫補晶振原理示意圖如圖1所示全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補晶振溫度補償的原理就是通過改變振蕩回路中的負載電容，使其隨溫度變化來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產生的頻率漂移。

溫補晶振未來溫補晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實現晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國內的溫補晶振產品水平得到了很大的提高，實現了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機械）微調≥±3ppm，電源功耗≤120mw溫補晶振晶體振蕩器電路由放大器和反饋網絡組成。反饋網絡從放大器獲取特定輸出，然后將其發(fā)送回放大器輸入。繪制出來時看起來很簡單。什么是晶體振蕩器電路?但是越深入，復雜性就越大。緊緊抓住!為了使晶體振蕩器電路有效運行，必須滿足兩個關鍵條件：(1)環(huán)路功率增益必須等于一致；(2)環(huán)路相移必須等于0、2Pi，4Pi等弧度。。最高精度可達±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內容和潛力還很大。然而，科學技術的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。