并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。高頻晶振晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器高頻晶振

（1）測試出補償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計算熱敏網(wǎng)絡中各電阻的阻值；（3）裝配溫補網(wǎng)絡，測試成品振蕩器f-T曲線，評價論證補償效果?？梢钥闯?，獲得準確的V-T曲線參數(shù)是溫補晶振設計生產(chǎn)中的關鍵環(huán)節(jié)，直接關系到振蕩器頻率精度的高低，關系著成品溫補晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加LC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準的電壓供壓控電壓用，這個精準的電壓就是參考電壓。6）輸出波形（Outputwaveform）正弦:負載能力方波:上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。

高頻晶振1溫補晶振溫度補償原理溫補晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補償網(wǎng)絡兩部分組成。典型的溫補晶振原理示意圖如圖1所示（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補償網(wǎng)絡分析計算輔助數(shù)據(jù)。2.2補償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求，補償電壓自動測試過程如下：將未裝配補償網(wǎng)絡的待測半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設備，打開電源，運行程序，進行參數(shù)設置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進）；點擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動回0號參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進1,根據(jù)1號位活件設置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時程控電源的E+即為所測補償電壓結(jié)果，同時記錄振蕩器內(nèi)為溫補網(wǎng)絡供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進1,移向2號位測量，直到所有工位測試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測試；繼續(xù)升溫，保溫、測量，直至全部溫度點測試完畢，一個測試過程完成。。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補晶振溫度補償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負載電容，使其隨溫度變化來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。

高頻晶振10年來，隨著科學技術的不斷發(fā)展，溫補晶振取得了可喜的進步。目前晶振行業(yè)知名的晶振廠家絕大部分都有自主生產(chǎn)溫補晶振產(chǎn)品，其中株式會社大真空是溫補晶振產(chǎn)品做得最齊全的晶振企業(yè)之一，KDS晶振產(chǎn)品型號眾多，頻點齊全，其中KDS溫補晶振被廣泛應用于如北斗定位系統(tǒng)、GPS衛(wèi)星導航儀、智能手機、RFID產(chǎn)品等多個領域。不同的產(chǎn)品所采用的頻率不盡相同高頻晶振本文設計提出一種溫補網(wǎng)絡補償電壓的自動測試方法，對該過程實現(xiàn)了自動控制與測量。2.1系統(tǒng)硬件組成溫補網(wǎng)絡補償電壓自動測試系統(tǒng)以計算機為控制核心，結(jié)合應用軟件，實現(xiàn)了補償電壓測試過程的自動化測試。系統(tǒng)可以完成設備自動控制，儀器的自動測試，數(shù)據(jù)存儲以及數(shù)據(jù)分析等功能，大大提高了測試速度，節(jié)省了工作時間，還可以提高測試準確度，比傳統(tǒng)的人工手動測試具有明顯的優(yōu)越性。，北斗定位用高精度溫補晶振所采用的頻率主要為10MHz和16.32MHz；GPS衛(wèi)星導航儀用高精度溫補晶振則為16.368MHz、16.369MHz、16.367667MHz和26MHz等頻率；而智能手機上主要用到的溫補晶振頻率為19.2MHz和26MHz；RFID產(chǎn)品上用的溫補晶振頻率是20MHz、24MHz和25MHz等。隨著晶振向小型化趨勢不斷發(fā)展，溫補晶振的尺寸也越來越小，相同頻率的溫補晶振在晶振的體積上也有多個選擇。然而，雖然各大溫補晶振市場廠家均已實現(xiàn)2520、2016體積的小體積TCXO產(chǎn)品。但是，晶振的體積越小價格越高，而目前市場上需要用到這種小尺寸溫補晶振的產(chǎn)品很少。因此，目前市場上用的比較多的還是3225體積的溫補晶振。