用溫度補(bǔ)償?shù)姆椒p少頻率失真，因?yàn)檎袷幤鞴ぷ鲿r(shí)由于電阻的作用(晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻)就會(huì)有溫升，溫度升高對(duì)半導(dǎo)體影響很大，會(huì)使半導(dǎo)體的工作點(diǎn)發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化，這些變化對(duì)使用者來(lái)說(shuō)影響很大如無(wú)線(xiàn)電通訊、本地時(shí)鐘(單片機(jī)或者電腦)要求頻率高度穩(wěn)定，所以開(kāi)發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補(bǔ)償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準(zhǔn)。RAKON晶振溫補(bǔ)晶振是如何實(shí)現(xiàn)電路補(bǔ)償中國(guó)電子市場(chǎng)對(duì)壓電石英晶振的需求是越來(lái)越大了，從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展，尤其是近幾年時(shí)間國(guó)內(nèi)的晶體廠(chǎng)家不斷更新研發(fā)，從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了RAKON晶振

（1）直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。，就拿我們晶振行業(yè)來(lái)說(shuō)像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉貼片式替代了，已經(jīng)成為小型化的走向，而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致，要求也越來(lái)越高，普通型的晶體已經(jīng)不能滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求，所以各大生產(chǎn)廠(chǎng)商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展，而振蕩器里面的溫補(bǔ)晶振已經(jīng)成為了電子各大廠(chǎng)商的爭(zhēng)奪對(duì)象。RAKON晶振（1）直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移RAKON晶振

出經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用，這個(gè)精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。6）輸出波形（Outputwaveform）正弦:負(fù)載能力方波:上升沿時(shí)間、下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平振蕩器工作時(shí)輸出的波形及波形的具體特性。。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。

RAKON晶振但通過(guò)分析與研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小RAKON晶振另外，石英晶體還有一個(gè)重要的特性——溫漂。所有的石英晶體材料做成的頻率器件，均有一定的溫漂。溫漂成為影響石英晶體諧振器及石英晶體振蕩器頻率精度的重要因素。溫補(bǔ)鐘振(TCXO)，恒溫鐘振(OCXO)，都是針對(duì)晶體的頻率溫度特性做相應(yīng)的補(bǔ)償，頻率精度TCXO小于±2.5ppm，OCXO小于±10ppb(1ppb=10-3ppm)，甚至更高。溫度補(bǔ)償，成為彌補(bǔ)石英晶體溫漂的重要手段。然而，市面上針對(duì)KHZ級(jí)別的溫補(bǔ)鐘振少之又少，其原因，我可以從晶體的切型方面分析。，溫度補(bǔ)償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒(méi)進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。