（1）測(cè)試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，測(cè)試成品振蕩器f-T曲線，評(píng)價(jià)論證補(bǔ)償效果?？梢钥闯?，獲得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。壓控晶振當(dāng)需要標(biāo)準(zhǔn)XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無(wú)法達(dá)到的溫度穩(wěn)定性時(shí),TCXO是必需的.溫度穩(wěn)定性是振蕩器頻率隨溫度變化的量度,并且以兩種方式定義.一種常見(jiàn)的方法是使用“加/減”規(guī)格(例如：±0.28ppm對(duì)比工作溫度范圍壓控晶振

一個(gè)溫補(bǔ)晶振，可以通過(guò)測(cè)量溫度，然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。溫補(bǔ)晶振術(shù)語(yǔ)來(lái)自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方zhidao式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫回度成三次曲線變化）通過(guò)外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫答度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設(shè)為標(biāo)稱頻率,則器件頻率將偏離或低于該標(biāo)稱頻率不超過(guò)0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒(méi)有參考點(diǎn)的正/負(fù)值.在第二種情況下,我們不能說(shuō)我們知道頻率會(huì)高于或低于頻率將會(huì)發(fā)生多大變化-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來(lái)自定義的參考點(diǎn)的正負(fù)值來(lái)指定設(shè)備.全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來(lái)更容易，更便宜。

壓控晶振溫補(bǔ)晶振內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為石英晶體振蕩回路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分。石英晶體振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。傳統(tǒng)的TCXO是通過(guò)采用模擬器件進(jìn)行補(bǔ)償，即通過(guò)改變振蕩回路中的負(fù)載電容等模擬器件，使其隨溫度而變化來(lái)補(bǔ)償晶體諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移其實(shí)貼片晶振溫度補(bǔ)償晶體振蕩器是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補(bǔ)償晶體振蕩器中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：。這也叫模擬式溫度補(bǔ)償。隨著溫度補(bǔ)償技術(shù)的發(fā)展，很多采用數(shù)字化補(bǔ)償技術(shù)的TCXO逐漸開(kāi)始出現(xiàn)，這種數(shù)字化補(bǔ)償?shù)?a href="http://51473.com.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補(bǔ)晶振又叫DTCXO；還有一種用單片機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)?a href="http://51473.com.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補(bǔ)晶振我們稱之為MCXO。數(shù)字化補(bǔ)償技術(shù)可實(shí)現(xiàn)晶振自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高。并且能夠適應(yīng)更寬的工作溫度范圍。但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。因此，通常我們使用的都是采用的模擬式間接溫度補(bǔ)償?shù)?a href="http://51473.com.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補(bǔ)晶振。

壓控晶振但通過(guò)分析與研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小壓控晶振恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個(gè)加溫過(guò)程。因此開(kāi)機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。無(wú)論是恒溫晶振還是溫補(bǔ)晶振無(wú)非就是個(gè)信號(hào)源，為你的設(shè)備提供一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。，溫度補(bǔ)償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒(méi)進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。