2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。壓控品振VCTCXO壓控晶振是通過外加一個(gè)壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來改變電容值以達(dá)到改變頻率的效果壓控品振VCTCXO

一、頻率穩(wěn)定性晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性,它是決定振蕩器價(jià)格的重要因素.穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬,器件的價(jià)格亦愈高.工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的-40～+75℃這個(gè)范圍往往只是出于設(shè)計(jì)者們的習(xí)慣,倘若-30～+70℃已經(jīng)夠用,那么就不必去追求更寬的溫度范圍.設(shè)計(jì)工程師要慎密決定特定應(yīng)用的實(shí)際需要,然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度.指標(biāo)過高意味著花錢愈多.晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素.根據(jù)目標(biāo)產(chǎn)品的預(yù)期壽命不同,有多種方法可以減弱這種影響.晶體老化會(huì)使輸出頻率按照對(duì)數(shù)曲線發(fā)生變化,也就是說在產(chǎn)品使用的第一年,這種現(xiàn)象才最為顯著.。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補(bǔ)晶振它是采用內(nèi)置一個(gè)溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)來補(bǔ)償由于溫度帶來的度頻率偏差，達(dá)到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。壓控品振VCTCXO在振蕩器中，溫度補(bǔ)償晶振也就是人們常說的溫補(bǔ)晶振，是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。用的人居多。然而晶振存在著兩種溫度補(bǔ)償類型。壓控品振VCTCXO

三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動(dòng)、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對(duì)于工業(yè)產(chǎn)品,有時(shí)還要考慮沖擊和振動(dòng)、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨(dú)特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求.對(duì)稱性、上升和下降時(shí)間以及邏輯電平對(duì)某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對(duì)稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時(shí)間（小于5ns）.

壓控品振VCTCXO5、老化:在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件老化而引起的輸出頻率隨時(shí)專間的系統(tǒng)漂移過程壓控品振VCTCXO全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的頻差來量度。對(duì)于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工屬作時(shí)間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率來量度。