（1）直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。

晶振定制很多剛接觸晶振行業(yè)的采購(gòu)，以為晶振只有一種分類，并不知道無源晶振和有源晶振這么一說。后來一直詢問我，什么叫有源晶振。其實(shí)在電子行業(yè)中籠統(tǒng)的說就是帶有電壓的晶體稱為有源晶振也叫振蕩器晶振定制

，里面除了石英晶體外還有晶體管和阻容元件它不需要DSP的內(nèi)部振蕩，也不需要復(fù)雜的配質(zhì)電路使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，然后輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過濾信息就可以了，腳位一般以4個(gè)腳6個(gè)腳居多，信號(hào)質(zhì)量好比較穩(wěn)定相對(duì)于晶體而言價(jià)格比較貴。晶振定制隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，小型化的產(chǎn)品越來越受到歡迎。在晶振行業(yè)也亦如此，如今越來越多的電子設(shè)備都選擇使用小巧輕薄的貼片晶振，插件晶振的使用范圍慢慢被縮小。今天小揚(yáng)來跟大家談一談如何區(qū)分貼片晶振的腳位方向?一、貼片晶振是什么?常說的晶振，是石英晶體元器件中的一種晶振定制

圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會(huì)改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.。石英晶體諧振器、石英晶體振蕩器、石英晶體濾波器均為石英晶體元器件。石英晶體是一種壓電晶體。壓電晶體當(dāng)受特定方向擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。根據(jù)效應(yīng)情況不同，分為正壓電效應(yīng)與逆壓電效應(yīng)。貼片晶振主要是用于電路中的時(shí)鐘模塊，來提供相應(yīng)的時(shí)鐘基準(zhǔn)，常見的應(yīng)用主要是嵌入式設(shè)計(jì)，如FPGA、DSP等開發(fā)板中。

晶振定制未來溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機(jī)械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw晶振定制（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測(cè)試目的要求，補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過程如下：將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測(cè)半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設(shè)備，打開電源，運(yùn)行程序，進(jìn)行參數(shù)設(shè)置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測(cè)試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進(jìn)）；點(diǎn)擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動(dòng)回0號(hào)參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進(jìn)1,根據(jù)1號(hào)位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時(shí)程控電源的E+即為所測(cè)補(bǔ)償電壓結(jié)果，同時(shí)記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號(hào)位測(cè)量，直到所有工位測(cè)試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測(cè)試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測(cè)試；繼續(xù)升溫，保溫、測(cè)量，直至全部溫度點(diǎn)測(cè)試完畢，一個(gè)測(cè)試過程完成。。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。