調(diào)整的方式：3）調(diào)節(jié)方式有機(jī)械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種4）可變?cè)ǔＶ缸內(nèi)荻O管、多圈電位器等。4）工作溫度范圍(Operatingtemp.range)振蕩器能夠正常工作，其頻率及其它輸出信號(hào)性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
RAKON晶振凡是需要提供電源電壓的都是有源晶振，它大致包括普通晶振、
壓控晶振、
溫補(bǔ)晶振、
恒溫晶振。
溫補(bǔ)晶振屬于有源晶振，它是在普通晶振的基礎(chǔ)上，加了一個(gè)溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，它主要分為模擬
溫補(bǔ)晶振和數(shù)字
溫補(bǔ)晶振。無(wú)源晶振是有2個(gè)引腳的無(wú)極性元件，需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無(wú)法振蕩起來(lái)無(wú)源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器，在datasheet上有建議的連接方法RAKON晶振
。無(wú)源晶振沒有電壓的問題，信號(hào)電平是可變的，也就是說是根據(jù)起振電路來(lái)決定的，同樣的晶振可以適用于多種電壓，可用于多種不同時(shí)鐘信號(hào)電壓要求的DSP，而且價(jià)格通常也較低，因此對(duì)于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。無(wú)源晶振相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時(shí)建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。一、頻率穩(wěn)定性晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性,它是決定振蕩器價(jià)格的重要因素.穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬,器件的價(jià)格亦愈高.工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的-40～+75℃這個(gè)范圍往往只是出于設(shè)計(jì)者們的習(xí)慣,倘若-30～+70℃已經(jīng)夠用,那么就不必去追求更寬的溫度范圍.設(shè)計(jì)工程師要慎密決定特定應(yīng)用的實(shí)際需要,然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度.指標(biāo)過高意味著花錢愈多.晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素.根據(jù)目標(biāo)產(chǎn)品的預(yù)期壽命不同,有多種方法可以減弱這種影響.晶體老化會(huì)使輸出頻率按照對(duì)數(shù)曲線發(fā)生變化,也就是說在產(chǎn)品使用的第一年,這種現(xiàn)象才最為顯著.
RAKON晶振1［時(shí)域表征］⑴在規(guī)定條件下，晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的漂移2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的老化頻差的相對(duì)值來(lái)量度（如日、月或年老化率等）。⑵日穩(wěn)定度（或稱日波動(dòng)）：指晶振的輸出頻率在24小時(shí)內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對(duì)值來(lái)表示。
RAKON晶振圖5間接補(bǔ)償目前的方法將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個(gè)集成電路中(如圖6所示),補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運(yùn)算放大器組成,這些運(yùn)算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補(bǔ)償方法一樣RAKON晶振應(yīng)用軟件采用VB6.0編寫，后臺(tái)數(shù)據(jù)庫(kù)采用MicrosoftAccess數(shù)據(jù)庫(kù)。運(yùn)行軟件，可以對(duì)程控儀器設(shè)備進(jìn)行操作和控制，實(shí)現(xiàn)測(cè)試過程的自動(dòng)控制、數(shù)據(jù)自動(dòng)測(cè)試以及自動(dòng)記錄，為
溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)計(jì)算過程提供準(zhǔn)確可靠的輸入數(shù)據(jù)。,該電壓用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,這反過來(lái)又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測(cè)試期間得出了解決方案.兩個(gè)電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱值,然后在測(cè)試期間獲得溫度補(bǔ)償功能所需的設(shè)置并存儲(chǔ)在片上存儲(chǔ)器中.
