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佛山壓控品振VCTCXO代理
發(fā)布時間:2022-10-13 點(diǎn)擊量:577
2)削峰正弦波(ClippingSine):負(fù)載(Load)、輸出幅度(Outputlevel)。3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載(Load)、占空比(Dutycycle)、上升/下降時間(Rise/falltime)、
壓控品振VCTCXO二、溫補(bǔ)晶振的發(fā)展趨勢低功耗、小型化和精度,一直是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面,溫補(bǔ)晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難,具體主要表現(xiàn)為兩點(diǎn):一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小壓控品振VCTCXO圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.,溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度,會使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。

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