并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產生的頻率也會改變。

壓控晶振每個溫補晶振產品在做完整之前都需要經過很多工序的檢測，電路板設有晶振的電子產品在檢漏工序中壓控晶振

，就是在酒精加壓的環(huán)境下，容易產生碰殼現(xiàn)象，即振動時芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時振時不振或停振。然而金洛電子此歸類出幾點正確的處理方法如下：一、頻率穩(wěn)定性晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內的穩(wěn)定性,它是決定振蕩器價格的重要因素.穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬,器件的價格亦愈高.工業(yè)級標準規(guī)定的-40～+75℃這個范圍往往只是出于設計者們的習慣,倘若-30～+70℃已經夠用,那么就不必去追求更寬的溫度范圍.設計工程師要慎密決定特定應用的實際需要,然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度.指標過高意味著花錢愈多.晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素.根據(jù)目標產品的預期壽命不同,有多種方法可以減弱這種影響.晶體老化會使輸出頻率按照對數(shù)曲線發(fā)生變化,也就是說在產品使用的第一年,這種現(xiàn)象才最為顯著.

壓控晶振1、嚴格按照技術要求的規(guī)定，對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；2、壓封工序是將調好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

壓控晶振圖5間接補償目前的方法將補償網絡和拉網絡集成到一個集成電路中(如圖6所示),補償網絡的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補償方法一樣壓控晶振圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術,其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.,該電壓用于驅動變容二極管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調節(jié)到標稱值,然后在測試期間獲得溫度補償功能所需的設置并存儲在片上存儲器中.