全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)?；谖C(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

RAKON晶振TCXO溫補(bǔ)晶振是通過其附加的溫度補(bǔ)償電路使周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器RAKON晶振

。它的溫度補(bǔ)償?shù)脑砟鼐褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使copy其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂知移。其實(shí)貼片晶振溫度補(bǔ)償晶體振蕩器是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補(bǔ)償晶體振蕩器中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：

RAKON晶振一、溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償原理振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。

RAKON晶振但通過分析與研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小RAKON晶振頻率老化是不可避免的。同時(shí)方向可能為正也可能為負(fù)。又稱為日老化率、長(zhǎng)穩(wěn)等。12）短期頻率穩(wěn)定度(Shorttermstability)振蕩器短時(shí)間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。，溫度補(bǔ)償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。