（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。晶振溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)

4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的，但實(shí)際上總會(huì)有所偏差，這個(gè)偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號，或者對輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí)，通常振蕩器可以自己給，是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。晶振并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。

晶振1［時(shí)域表征］⑴在規(guī)定條件下，晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的漂移注：1）電壓范圍：用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V,0.3～3.0V,0～5V,0.5～4.5V等。2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3）極性：當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候，壓控極性為正極性，反之為負(fù)極性。。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的老化頻差的相對值來量度（如日、月或年老化率等）。⑵日穩(wěn)定度（或稱日波動(dòng)）：指晶振的輸出頻率在24小時(shí)內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對值來表示。

晶振但通過分析與研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小晶振2系統(tǒng)硬件組成及測試過程溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的測量多為人工手動(dòng)完成。用小功率直流電壓源代替溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，改變溫度到目標(biāo)點(diǎn)并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達(dá)到中心頻率，此時(shí)電壓源輸出即為該溫度點(diǎn)的補(bǔ)償電壓；在各測試溫度點(diǎn)重復(fù)以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線數(shù)據(jù)。這種手動(dòng)測量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實(shí)現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。，溫度補(bǔ)償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。