（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類(lèi)型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過(guò)晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。壓控品振VCTCXO壓控晶振是通過(guò)外加一個(gè)壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來(lái)改變電容值以達(dá)到改變頻率的效果壓控品振VCTCXO

本系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制中心，包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計(jì)和數(shù)字萬(wàn)用表等設(shè)備。（1）高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控，滿(mǎn)足-50~+80℃測(cè)試要求，箱內(nèi)的測(cè)量圈設(shè)有50個(gè)工位，每個(gè)工位通過(guò)5根導(dǎo)線連接一個(gè)待測(cè)補(bǔ)償電壓的半成品活件，分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補(bǔ)晶振它是采用內(nèi)置一個(gè)溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)來(lái)補(bǔ)償由于溫度帶來(lái)的度頻率偏差，達(dá)到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。（2）程控電源Agilent3631A支持GPIB接口程控，滿(mǎn)足獨(dú)立雙路供電，其中0~6V為E+供電，其分辨率可達(dá)2mV以?xún)?nèi)；0~25V為T(mén)CXO系統(tǒng)提供工作電壓。（3）數(shù)字頻率計(jì)EE3386A1支持串口程控，用于獲取TCXO輸出頻率。

壓控品振VCTCXO晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振，便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過(guò)電子調(diào)整頻率的方法保持同步（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類(lèi)型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過(guò)晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要道不同頻率的時(shí)鐘信號(hào)，可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來(lái)提供。

壓控品振VCTCXO二、溫補(bǔ)晶振的發(fā)展趨勢(shì)低功耗、小型化和精度，一直是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補(bǔ)晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小壓控品振VCTCXO9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時(shí)，由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的負(fù)載條件時(shí)的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)，溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。