2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。溫補晶振TCXO溫補晶振是如何實現(xiàn)電路補償中國電子市場對壓電石英晶振的需求是越來越大了，從而使晶體行業(yè)達到膨脹式的發(fā)展，尤其是近幾年時間國內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā)，從而導致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了溫補晶振TCXO

恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。因此開機即需要工作的設備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源，為你的設備提供一個時間基準。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。，就拿我們晶振行業(yè)來說像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉貼片式替代了，已經(jīng)成為小型化的走向，而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致，要求也越來越高，普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場的需求，所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展，而振蕩器里面的溫補晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭奪對象。后一種情況(TCXO是開環(huán),頻率在DDS設置)正變得越來越普遍,因為設計人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來實現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設計人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞实念l率如何隨溫度變化做出某些假設,以便他們可以相應地規(guī)劃鎖相環(huán)的設計.由于靈活性,它們允許TCXO用于許多頻率控制應用,但一個重要領域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時分配芯片的固定頻率源.

溫補晶振TCXO無論什么晶振，在電路中只有一個作用，那就是提供穩(wěn)定的頻率輸出。不同的是壓控晶振可以通過壓控端的電壓微調(diào)控制輸出的頻率的高低TCXO晶振溫度穩(wěn)定性水平(從5ppm到50ppb)通常是必要的,因為振蕩器將獨立工作,無論是在沒有外部頻率參考的系統(tǒng)中的自由運行模式,還是作為固定頻率參考TCXO在開環(huán)中工作的合成器,用于驅(qū)動DDS(直接數(shù)字合成),而DDS而不是TCXO被“鎖定”到外部參考.，而溫補晶振則自動根據(jù)環(huán)境溫度的變化對頻率輸出進行補償，使輸出的頻率穩(wěn)定，當然一些溫補晶振也帶有壓控端。

溫補晶振TCXO二、溫補晶振的發(fā)展趨勢低功耗、小型化和精度，一直是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小溫補晶振TCXO其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時間之間的關系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。，溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。