圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.

壓控晶振溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器

。溫補晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補償方式已達到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求壓控晶振。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化）通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器。（2）程控電源Agilent3631A支持GPIB接口程控，滿足獨立雙路供電，其中0~6V為E+供電，其分辨率可達2mV以內(nèi)；0~25V為TCXO系統(tǒng)提供工作電壓。（3）數(shù)字頻率計EE3386A1支持串口程控，用于獲取TCXO輸出頻率。

壓控晶振隨著各種高端智能產(chǎn)品的火爆,電子元器件也從中分到了一杯羹.晶振是一個典型的例子.晶振是百分之八十以上電子產(chǎn)品的核心命脈.假如沒有晶振的支持絕大部分電子相關(guān)智能產(chǎn)品將會陷入癱瘓然而引起嚴重后果.隨著電子產(chǎn)品的變化晶振也在不斷的更新?lián)Q代.從以前的大體積到現(xiàn)在的超小超薄型貼片晶振成為市場主流一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。如溫補晶振一般能達到-7量級，而恒溫晶振可達到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。想達到-7量級，怎么也需要5分鐘左右，而達-9以上量級甚至需要一天。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達目標，你的晶振還沒正常工作怎么用？,在整個變化中對于行業(yè)的技術(shù)來說是一項極大的挑戰(zhàn).由于市場的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌帶領(lǐng)整個行業(yè)邁向科技前沿,研發(fā)新型技術(shù),更新生產(chǎn)設(shè)備,制造高精度晶體來滿足市場需求.由于高端智能產(chǎn)品的涌現(xiàn),對于各種元器件的要求也是極高.溫補晶振、壓控晶振逐步被眾多高端市場所選用,但是溫補、壓控晶振使技術(shù)更加提升,成本也是相對增加.作為一名晶振銷售人員,很多采購并不知道在選擇晶振的時候該注意哪一些特性.才能夠在使用的過程中讓產(chǎn)品變得更加穩(wěn)定.在此我為大家對于一些重要的特性經(jīng)行了簡述:

壓控晶振13）相位噪聲(Phasenoise)振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度，通常用相應(yīng)起伏功率譜密度Sψ(f)表示壓控晶振集成電路是一種超微型的電子元器件，一個電路中有晶振器、晶體管、電容電阻及電感等元器件相互連線組成。今天小揚給大家談一談有源晶振，無源晶振與集成電路有何聯(lián)系，讓大家能快速了解與學(xué)習(xí)。首先，我們了解一下什么是單片機?單片機，英文稱為Microcontrollers，是一種集成電路芯片，簡寫為MCU，是采用超大規(guī)模集成電路技術(shù)把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU、隨機存儲器RAM、只讀存儲器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時器/計數(shù)器等功能(可能還包括顯示驅(qū)動電路、脈寬調(diào)制電路、模擬多路轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器等電路)集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個小而完善的微型計算機系統(tǒng)，在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。從上世紀80年代，由當時的4位、8位單片機，發(fā)展到現(xiàn)在的300M的高速單片機。，其中相位起伏函數(shù)為ψ(f)=2πFt-2πF0t注:抖動是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時域量度，實際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。