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深圳高頻晶振生產(chǎn)商
發(fā)布時(shí)間:2020-07-22 點(diǎn)擊量:579
全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器,開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘,可編程門(mén)陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比,它們具有更高的可靠性,更小的尺寸,更高的耐用性以及更低的成本,而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù),與需要專門(mén)制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比,它們制造起來(lái)更容易,更便宜。高頻晶振溫補(bǔ)晶振(TCXO):是在晶振內(nèi)部采取了對(duì)晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償,以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級(jí),由于其良好的開(kāi)機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn),因而獲行了廣泛應(yīng)用高頻晶振。它有好幾種不同的類型:電壓控制晶體振蕩器(VCXO)、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),以及數(shù)字補(bǔ)償晶體振蕩器(MCXO或DTCXO),每種類型都有自己的獨(dú)特性能。如果您需要使您的設(shè)備即開(kāi)即用,您就必須選用VCXO或溫補(bǔ)晶振,如果要求穩(wěn)定度在1ppm以上,則需選擇數(shù)字溫補(bǔ)晶振(MCXO)。模擬溫補(bǔ)晶振只適用于穩(wěn)定度要求在5ppm~1ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開(kāi)即用的環(huán)境下,如果需要信號(hào)穩(wěn)定度超過(guò)0.1ppm的,可選用OCXO。高頻晶振晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振,便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基內(nèi)頻和射頻使用不同的晶振,而通過(guò)電子調(diào)整頻率的容方法保持同步高頻晶振恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件,也需要一個(gè)加溫過(guò)程。因此開(kāi)機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。無(wú)論是恒溫晶振還是溫補(bǔ)晶振無(wú)非就是個(gè)信號(hào)源,為你的設(shè)備提供一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用,以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時(shí)鐘信號(hào),可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來(lái)提供。高頻晶振注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時(shí)頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高,晶體成本上升越多高頻晶振一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級(jí),而恒溫晶振可達(dá)到-9量級(jí)。因此恒溫晶振一般用于高端測(cè)量?jī)x器,如頻率計(jì)、信號(hào)發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補(bǔ)晶振的開(kāi)機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件,也需要一個(gè)加溫過(guò)程。想達(dá)到-7量級(jí),怎么也需要5分鐘左右,而達(dá)-9以上量級(jí)甚至需要一天。因此開(kāi)機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達(dá)目標(biāo),你的晶振還沒(méi)正常工作怎么用?。5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)當(dāng)控制電壓變化時(shí),引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
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淺析溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)
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