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深圳恒溫晶振OCXO批發(fā)廠家
發(fā)布時間:2020-07-31 點擊量:496
(1)直接補償型直接補償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路,在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時,熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時,直接補償方式并不適宜。恒溫晶振OCXO凡是需要提供電源電壓的都是有源晶振,它大致包括普通晶振、壓控晶振、溫補晶振、恒溫晶振。溫補晶振屬于有源晶振,它是在普通晶振的基礎(chǔ)上,加了一個溫度補償網(wǎng)絡(luò),它主要分為模擬溫補晶振和數(shù)字溫補晶振。無源晶振是有2個引腳的無極性元件,需要借助于時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號,自身無法振蕩起來無源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法恒溫晶振OCXO。無源晶振沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據(jù)起振電路來決定的,同樣的晶振可以適用于多種電壓,可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP,而且價格通常也較低,因此對于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體,這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。無源晶振相對于晶振而言其缺陷是信號質(zhì)量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。一、頻率穩(wěn)定性晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性,它是決定振蕩器價格的重要因素.穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬,器件的價格亦愈高.工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的-40~+75℃這個范圍往往只是出于設(shè)計者們的習(xí)慣,倘若-30~+70℃已經(jīng)夠用,那么就不必去追求更寬的溫度范圍.設(shè)計工程師要慎密決定特定應(yīng)用的實際需要,然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度.指標(biāo)過高意味著花錢愈多.晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素.根據(jù)目標(biāo)產(chǎn)品的預(yù)期壽命不同,有多種方法可以減弱這種影響.晶體老化會使輸出頻率按照對數(shù)曲線發(fā)生變化,也就是說在產(chǎn)品使用的第一年,這種現(xiàn)象才最為顯著.恒溫晶振OCXO1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性,及時處理不良品并分析原因;2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來,以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能溫補晶振工作原理溫補振蕩器(TCXO)是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中,對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型:。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈,壓封倉要連續(xù)沖氮氣,并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和氮氣流量是否正常,否則及時處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為:無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對稱不可歪斜。恒溫晶振OCXO圖5間接補償目前的方法將補償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個集成電路中(如圖6所示),補償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補償方法一樣恒溫晶振OCXO一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。如溫補晶振一般能達到-7量級,而恒溫晶振可達到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器,如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件,也需要一個加溫過程。想達到-7量級,怎么也需要5分鐘左右,而達-9以上量級甚至需要一天。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達目標(biāo),你的晶振還沒正常工作怎么用?,該電壓用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱值,然后在測試期間獲得溫度補償功能所需的設(shè)置并存儲在片上存儲器中.
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