3、輸出波形：有正弦波和方波兩種。4、輸出幅度：在接入額定負(fù)載的規(guī)定條件下，晶振輸出的均方根值電壓。5、頻率溫度特性：當(dāng)環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預(yù)定方式變化時(shí)，晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對(duì)變化特性6、壓控線性度：指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。

kds晶振溫補(bǔ)晶振（TCXO）：是在晶振內(nèi)部采取了對(duì)晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償，以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級(jí)，由于其良好的開(kāi)機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn)，因而獲行了廣泛應(yīng)用kds晶振

。它有好幾種不同的類型：電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO），以及數(shù)字補(bǔ)償晶體振蕩器（MCXO或DTCXO），每種類型都有自己的獨(dú)特性能。如果您需要使您的設(shè)備即開(kāi)即用，您就必須選用VCXO或溫補(bǔ)晶振，如果要求穩(wěn)定度在1ppm以上，則需選擇數(shù)字溫補(bǔ)晶振（MCXO）。模擬溫補(bǔ)晶振只適用于穩(wěn)定度要求在5ppm～1ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開(kāi)即用的環(huán)境下，如果需要信號(hào)穩(wěn)定度超過(guò)0.1ppm的，可選用OCXO。（4）FLUKE45萬(wàn)用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測(cè)試目的要求，補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程如下：將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測(cè)半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設(shè)備，打開(kāi)電源，運(yùn)行程序，進(jìn)行參數(shù)設(shè)置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測(cè)試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進(jìn)）；點(diǎn)擊開(kāi)始按鈕，程序控制高低溫箱自動(dòng)回0號(hào)參考工位，開(kāi)始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進(jìn)1,根據(jù)1號(hào)位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來(lái)越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時(shí)程控電源的E+即為所測(cè)補(bǔ)償電壓結(jié)果，同時(shí)記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號(hào)位測(cè)量，直到所有工位測(cè)試完畢；開(kāi)始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測(cè)試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測(cè)試；繼續(xù)升溫，保溫、測(cè)量，直至全部溫度點(diǎn)測(cè)試完畢，一個(gè)測(cè)試過(guò)程完成。

kds晶振晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類：基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡(jiǎn)單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化TCXO晶振溫度穩(wěn)定性水平(從5ppm到50ppb)通常是必要的,因?yàn)檎袷幤鲗ⅹ?dú)立工作,無(wú)論是在沒(méi)有外部頻率參考的系統(tǒng)中的自由運(yùn)行模式,還是作為固定頻率參考TCXO在開(kāi)環(huán)中工作的合成器,用于驅(qū)動(dòng)DDS(直接數(shù)字合成),而DDS而不是TCXO被“鎖定”到外部參考.。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。這些因素會(huì)增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會(huì)造成振蕩器停振。上述大部分問(wèn)題都可以通過(guò)使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運(yùn)行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木取?p style='text-align:center;'>

kds晶振無(wú)論是恒溫晶振還是溫補(bǔ)晶振無(wú)非就是個(gè)信號(hào)源全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)?；谖C(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來(lái)更容易，更便宜。，為你的設(shè)備提供一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)kds晶振。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。