三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動(dòng)、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對(duì)于工業(yè)產(chǎn)品,有時(shí)還要考慮沖擊和振動(dòng)、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨(dú)特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求.對(duì)稱性、上升和下降時(shí)間以及邏輯電平對(duì)某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對(duì)稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時(shí)間（小于5ns）.壓控晶振晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片），石英晶體諧振器壓控晶振

本系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制中心，包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計(jì)和數(shù)字萬用表等設(shè)備。（1）高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控，滿足-50~+80℃測(cè)試要求，箱內(nèi)的測(cè)量圈設(shè)有50個(gè)工位，每個(gè)工位通過5根導(dǎo)線連接一個(gè)待測(cè)補(bǔ)償電壓的半成品活件，分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加LC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個(gè)加溫過程。因此開機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補(bǔ)晶振無非就是個(gè)信號(hào)源，為你的設(shè)備提供一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。

壓控晶振無論什么晶振，在電路中只有一個(gè)作用，那就是提供穩(wěn)定的頻率輸出。不同的是壓控晶振可以通過壓控端的電壓微調(diào)控制輸出的頻率的高低（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測(cè)試目的要求，補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過程如下：將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測(cè)半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設(shè)備，打開電源，運(yùn)行程序，進(jìn)行參數(shù)設(shè)置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測(cè)試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進(jìn)）；點(diǎn)擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動(dòng)回0號(hào)參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進(jìn)1,根據(jù)1號(hào)位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時(shí)程控電源的E+即為所測(cè)補(bǔ)償電壓結(jié)果，同時(shí)記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號(hào)位測(cè)量，直到所有工位測(cè)試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測(cè)試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測(cè)試；繼續(xù)升溫，保溫、測(cè)量，直至全部溫度點(diǎn)測(cè)試完畢，一個(gè)測(cè)試過程完成。，而溫補(bǔ)晶振則自動(dòng)根據(jù)環(huán)境溫度的變化對(duì)頻率輸出進(jìn)行補(bǔ)償，使輸出的頻率穩(wěn)定，當(dāng)然一些溫補(bǔ)晶振也帶有壓控端。

壓控晶振圖5間接補(bǔ)償目前的方法將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個(gè)集成電路中(如圖6所示),補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運(yùn)算放大器組成,這些運(yùn)算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補(bǔ)償方法一樣壓控晶振二、電源和負(fù)載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動(dòng)以及振蕩器負(fù)載變動(dòng)的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設(shè)計(jì)者應(yīng)在建議的電源電壓容差和負(fù)載下檢驗(yàn)振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動(dòng)15pF的振蕩器在驅(qū)動(dòng)50pF時(shí)會(huì)有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會(huì)呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對(duì)于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運(yùn)行.,該電壓用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測(cè)試期間得出了解決方案.兩個(gè)電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱值,然后在測(cè)試期間獲得溫度補(bǔ)償功能所需的設(shè)置并存儲(chǔ)在片上存儲(chǔ)器中.