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東莞恒溫晶振指標(biāo)
發(fā)布時(shí)間:2020-12-12 點(diǎn)擊量:427
為了能讓廣大新老客戶更好的了解溫補(bǔ)晶振性能,我們把溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償原理做了個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)試。溫補(bǔ)晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。典型的溫補(bǔ)晶振原理示意圖。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線,溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^(guò)改變振蕩回路中的負(fù)載電容,使其隨溫度變化來(lái)補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。恒溫晶振每個(gè)溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品在做完整之前都需要經(jīng)過(guò)很多工序的檢測(cè),電路板設(shè)有晶振的電子產(chǎn)品在檢漏工序中恒溫晶振,就是在酒精加壓的環(huán)境下,容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象,即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰,從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振。然而金洛電子此歸類(lèi)出幾點(diǎn)正確的處理方法如下:出經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用,這個(gè)精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。6)輸出波形(Outputwaveform)正弦:負(fù)載能力方波:上升沿時(shí)間、下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平振蕩器工作時(shí)輸出的波形及波形的具體特性。恒溫晶振1溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償原理溫補(bǔ)晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。典型的溫補(bǔ)晶振原理示意圖如圖1所示(1)直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路,在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí),熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí),直接補(bǔ)償方式并不適宜。。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線,溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^(guò)改變振蕩回路中的負(fù)載電容,使其隨溫度變化來(lái)補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。恒溫晶振3、由于石英晶振是被動(dòng)組件,它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的,因此,當(dāng)激勵(lì)功率過(guò)低時(shí),晶體不易起振,過(guò)高時(shí),便形成過(guò)激勵(lì),使石英芯片破損,引起停振恒溫晶振(1)測(cè)試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線(V-T曲線);(2)根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù),計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值;(3)裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò),測(cè)試成品振蕩器f-T曲線,評(píng)價(jià)論證補(bǔ)償效果??梢钥闯?,獲得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低,關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。。所以,應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外,有功負(fù)載會(huì)消耗一定的功率,從而降低晶體Q值,從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象,所以,外加有功負(fù)載時(shí),應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。
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