2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類(lèi)輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、

KDS晶振很多剛接觸晶振行業(yè)的采購(gòu)，以為晶振只有一種分類(lèi)，并不知道無(wú)源晶振和有源晶振這么一說(shuō)。后來(lái)一直詢(xún)問(wèn)我，什么叫有源晶振。其實(shí)在電子行業(yè)中籠統(tǒng)的說(shuō)就是帶有電壓的晶體稱(chēng)為有源晶振也叫振蕩器KDS晶振

，里面除了石英晶體外還有晶體管和阻容元件它不需要DSP的內(nèi)部振蕩，也不需要復(fù)雜的配質(zhì)電路使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，然后輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過(guò)濾信息就可以了，腳位一般以4個(gè)腳6個(gè)腳居多，信號(hào)質(zhì)量好比較穩(wěn)定相對(duì)于晶體而言?xún)r(jià)格比較貴。9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時(shí)，由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的負(fù)載條件時(shí)的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)

KDS晶振TCXO晶振對(duì)工程師非常有用,因?yàn)樗鼈兛梢栽诒入娐钒迳暇哂邢嗤暮驼加每臻g的標(biāo)準(zhǔn)VCXO更好的溫度穩(wěn)定性的10倍到40倍之間使用.TCXO彌合了標(biāo)準(zhǔn)XO或VCXO與OCXO之間的差距變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補(bǔ)償電壓）由溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)輸出，溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的測(cè)量多為人工手動(dòng)完成。用小功率直流電壓源代替溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，改變溫度到目標(biāo)點(diǎn)并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達(dá)到中心頻率，此時(shí)電壓源輸出即為該溫度點(diǎn)的補(bǔ)償電壓；在各測(cè)試溫度點(diǎn)重復(fù)以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線數(shù)據(jù)。這種手動(dòng)測(cè)量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實(shí)現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。,這些差距更高,需要更多功率才能運(yùn)行.推動(dòng)技術(shù)的目標(biāo)是降低功耗,當(dāng)然還要降低成本,因此TCXO為功耗和成本敏感的應(yīng)用提供了良好的中端解決方案.

KDS晶振溫補(bǔ)晶振，TCXO，普通的振蕩器百內(nèi)置溫度曲線補(bǔ)償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能度做到+/-2ppmKDS晶振2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫(xiě)作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來(lái)表示。。消耗電流一般小于幾十問(wèn)mA。是最常見(jiàn)的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見(jiàn)。恒溫晶振，OCXO，在特制答的晶體周?chē)姓袷庪娐泛秃銣仉娐罚l率穩(wěn)定度可回以達(dá)到+/-0.01ppm。消耗答電流一般300mA~2A。主要應(yīng)用于衛(wèi)星，通訊基站等。