2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、

CIMAKE晶振凡是需要提供電源電壓的都是有源晶振，它大致包括普通晶振、壓控晶振、溫補(bǔ)晶振、恒溫晶振。溫補(bǔ)晶振屬于有源晶振，它是在普通晶振的基礎(chǔ)上，加了一個(gè)溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，它主要分為模擬溫補(bǔ)晶振和數(shù)字溫補(bǔ)晶振。無(wú)源晶振是有2個(gè)引腳的無(wú)極性元件，需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無(wú)法振蕩起來(lái)無(wú)源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器，在datasheet上有建議的連接方法CIMAKE晶振

。無(wú)源晶振沒(méi)有電壓的問(wèn)題，信號(hào)電平是可變的，也就是說(shuō)是根據(jù)起振電路來(lái)決定的，同樣的晶振可以適用于多種電壓，可用于多種不同時(shí)鐘信號(hào)電壓要求的DSP，而且價(jià)格通常也較低，因此對(duì)于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。無(wú)源晶振相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時(shí)建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。CIMAKE晶振3）頻率調(diào)諧范圍（Frequencyadjustmentrange）用某種可變?cè)拐袷幤黝l率能夠改變的頻率范圍CIMAKE晶振

并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過(guò)晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來(lái)呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。。注：調(diào)整的目的：1）把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。

CIMAKE晶振溫補(bǔ)晶振，TCXO，普通的振蕩器百內(nèi)置溫度曲線補(bǔ)償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能度做到+/-2ppmCIMAKE晶振四、相位噪聲和抖動(dòng)在頻域測(cè)量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實(shí)量度.它可測(cè)量到中心頻率的1Hz之內(nèi)和通常測(cè)量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠(yuǎn)離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.抖動(dòng)與相位噪聲相關(guān),但是它在時(shí)域下測(cè)量.以微微秒表示的抖動(dòng)可用有效值或峰—峰值測(cè)出.許多應(yīng)用,例如通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴(yán)格的拌動(dòng)指標(biāo).需要密切注意在這些系統(tǒng)中應(yīng)用的振蕩器的抖動(dòng)和相位噪聲特性.。消耗電流一般小于幾十問(wèn)mA。是最常見(jiàn)的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見(jiàn)。恒溫晶振，OCXO，在特制答的晶體周圍包有振蕩電路和恒溫電路，頻率穩(wěn)定度可回以達(dá)到+/-0.01ppm。消耗答電流一般300mA~2A。主要應(yīng)用于衛(wèi)星，通訊基站等。