（1）測(cè)試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，測(cè)試成品振蕩器f-T曲線，評(píng)價(jià)論證補(bǔ)償效果?？梢钥闯?，獲得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。kds晶振當(dāng)需要標(biāo)準(zhǔn)XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無法達(dá)到的溫度穩(wěn)定性時(shí),TCXO是必需的.溫度穩(wěn)定性是振蕩器頻率隨溫度變化的量度,并且以兩種方式定義.一種常見的方法是使用“加/減”規(guī)格(例如：±0.28ppm對(duì)比工作溫度范圍kds晶振

2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設(shè)為標(biāo)稱頻率,則器件頻率將偏離或低于該標(biāo)稱頻率不超過0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒有參考點(diǎn)的正/負(fù)值.在第二種情況下,我們不能說我們知道頻率會(huì)高于或低于頻率將會(huì)發(fā)生多大變化-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來自定義的參考點(diǎn)的正負(fù)值來指定設(shè)備.kds晶振隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，小型化的產(chǎn)品越來越受到歡迎。在晶振行業(yè)也亦如此，如今越來越多的電子設(shè)備都選擇使用小巧輕薄的貼片晶振，插件晶振的使用范圍慢慢被縮小。今天小揚(yáng)來跟大家談一談如何區(qū)分貼片晶振的腳位方向?一、貼片晶振是什么?常說的晶振，是石英晶體元器件中的一種kds晶振

溫補(bǔ)晶振工作原理溫補(bǔ)振蕩器(TCXO)是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：。石英晶體諧振器、石英晶體振蕩器、石英晶體濾波器均為石英晶體元器件。石英晶體是一種壓電晶體。壓電晶體當(dāng)受特定方向擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。根據(jù)效應(yīng)情況不同，分為正壓電效應(yīng)與逆壓電效應(yīng)。貼片晶振主要是用于電路中的時(shí)鐘模塊，來提供相應(yīng)的時(shí)鐘基準(zhǔn)，常見的應(yīng)用主要是嵌入式設(shè)計(jì)，如FPGA、DSP等開發(fā)板中。

kds晶振目前溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。其中主要的有兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小kds晶振2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、，溫度補(bǔ)償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。