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溫補(bǔ)晶振的精度和穩(wěn)定性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是什么?

發(fā)布時(shí)間:2024-10-11   點(diǎn)擊量:343

溫補(bǔ)晶振的精度和穩(wěn)定性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要包括以下方面:

  1. 頻率精度測(cè)試
    • 標(biāo)稱頻率偏差:在標(biāo)準(zhǔn)電源電壓、標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容阻抗、參考溫度(一般為 25°C)等條件不變的情況下,測(cè)量晶振的實(shí)際輸出頻率與標(biāo)稱頻率之間的偏差。該偏差通常用百萬分之幾(ppm)來表示,一般高質(zhì)量的溫補(bǔ)晶振頻率精度可達(dá)到 ±0.5 ppm 甚至更高。
    • 電壓變化影響:改變溫補(bǔ)晶振的供電電壓,在不同的電壓值下測(cè)量晶振的頻率變化。例如,測(cè)試在供電電壓波動(dòng) ±5%、±10% 等情況下,晶振頻率的偏差范圍,以評(píng)估其對(duì)電壓變化的耐受能力。
    • 負(fù)載變化影響:在不同的負(fù)載條件下,如改變負(fù)載電容或負(fù)載電阻,測(cè)量晶振的頻率變化。這是為了檢驗(yàn)晶振在實(shí)際電路中,當(dāng)負(fù)載情況發(fā)生變化時(shí),其頻率輸出的穩(wěn)定性。
  2. 頻率穩(wěn)定性測(cè)試
    • 溫度穩(wěn)定性
      • 工作溫度范圍:確定溫補(bǔ)晶振能夠正常工作的溫度范圍,常見的為 - 40°C 至 +85°C,但不同型號(hào)和應(yīng)用場(chǎng)景可能會(huì)有所不同。在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi),測(cè)量晶振在不同溫度點(diǎn)下的頻率輸出。
      • 溫度頻偏:計(jì)算在工作溫度范圍內(nèi),晶振輸出頻率的最大偏差。一般來說,優(yōu)質(zhì)的溫補(bǔ)晶振在溫度變化時(shí),頻率的變化應(yīng)盡可能小,例如在全溫度范圍內(nèi)的頻率變化不超過 ±1 ppm。
    • 短期穩(wěn)定性(日波動(dòng)):在規(guī)定的預(yù)熱時(shí)間后(通常為幾小時(shí)到幾十小時(shí)不等,具體根據(jù)晶振的規(guī)格和應(yīng)用要求確定),在 24 小時(shí)內(nèi)每隔一小時(shí)測(cè)量一次晶振的頻率,然后根據(jù)公式計(jì)算日波動(dòng)。日波動(dòng)反映了晶振在一天內(nèi)頻率的變化情況,較小的日波動(dòng)表示晶振的短期穩(wěn)定性較好。
    • 長(zhǎng)期穩(wěn)定性(老化率):在常溫(25°C)條件下,持續(xù)監(jiān)測(cè)晶振的頻率輸出隨時(shí)間的變化。通常以每年的 ppm 變化來表示老化率,優(yōu)質(zhì)的溫補(bǔ)晶振老化率低于 ±1 ppm / 年。不過,對(duì)于一些對(duì)長(zhǎng)期穩(wěn)定性要求更高的應(yīng)用,可能需要關(guān)注更長(zhǎng)時(shí)間(如 5 年、10 年)內(nèi)的老化情況。
  3. 相位噪聲測(cè)試:相位噪聲是短期穩(wěn)定度的頻域度量,用單邊帶噪聲與載波噪聲之比來表示。它反映了晶振輸出信號(hào)的頻率純凈度,即信號(hào)中除了主頻之外的噪聲分量。較低的相位噪聲意味著晶振的輸出信號(hào)更加純凈,對(duì)于一些對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求高的應(yīng)用,如通信系統(tǒng)、雷達(dá)等,相位噪聲是一個(gè)重要的指標(biāo)。
  4. 其他測(cè)試
    • 開機(jī)特性:測(cè)試晶振在開機(jī)后的一段時(shí)間內(nèi),頻率值的最大變化。這對(duì)于一些需要快速啟動(dòng)且對(duì)頻率穩(wěn)定性要求高的設(shè)備非常重要,例如衛(wèi)星通信系統(tǒng)、航空航天設(shè)備等。
    • 諧波測(cè)試:測(cè)量晶振輸出信號(hào)中諧波分量的功率與載波功率之比。諧波分量會(huì)影響晶振輸出信號(hào)的質(zhì)量,因此需要對(duì)其進(jìn)行控制和測(cè)試。
熱門標(biāo)簽:溫補(bǔ)晶振的精度和穩(wěn)定性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是什么?